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第七届锡须国际会议揭晓锡须生长的根本原因

放大字体  缩小字体 发布日期:2013-11-05  来源:SMT之家商务通  作者:IPC  浏览次数:331
核心提示:布朗大学的研究人员表示他们已经找到了致使锡须生长的根本原因,工程学教授Eric Chason博士将在第七届锡须会议国际会议上揭晓他对锡须研究的这一重大成果
锡须几乎成了电子产品缺陷的罪魁祸首,锡须生长可谓是防不胜防,但是布朗大学的研究人员表示他们已经找到了致使锡须生长的根本原因。布朗大学的工程学教授Eric Chason博士将在第七届锡须会议国际会议上揭晓他对锡须研究的这一重大成果。国际锡须会议由IPC和CALCE联合于11月12-13日在加利福尼亚州科斯塔梅萨举办。

Chason说:“我确信金属化合物之间的应力是锡须形成的根本原因。”为了证明他的这个说法,他将在《热循环过程中锡铜系统晶须形成的实时研究》演讲中,发布有关此系统实验的相关信息。

锡须会议将首先由洛克希德马丁公司负责任务达成的副总裁John Kowalchik带来的关于航天工业要求的主题演讲——《航天:难以忍受的边界》拉开序幕。其他专题演讲包括:《大型国防OEM的锡须风险缓解—过去、现在与未来》,演讲者为雷神公司的David Pinsky博士;《敷形涂覆材料及其应用:行业评估状态》,演讲者为罗克韦尔柯林斯公司的Dave Hillman;《腐蚀诱发的锡须对镀锡的影响》,演讲者为博世公司的Pierre Eckold。

第7届锡须国际会议之后,IPC焊料与可靠性会议将于11月13日中午到11月14日举行。这些系列性活动将为业界同仁提供一个与众多行业专家交流并获悉可靠性问题的全面动态的绝佳机会。

登陆www.ipc.org/tin-whiskers,查询第七届锡须国际会议日程或在线报名。 
 
关键词: IPC 锡须
 
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