海力士将在中国投资8亿美元提高内存芯片产能

据外媒报道，韩国SK海力士周四宣布，将在韩国和中国投资3.16万亿韩元(约合27亿美元)以提高存储芯片产能，抓住行业内需求增长的机遇。作为全球第二大存储芯片制造商，SK海力士表示，将投资2.2万亿韩元在韩国南部新建一座NAND闪存芯片工厂，并同时投资9500亿韩元(约合7.93亿美元)提高现有中国无锡工厂的DRAM内存芯片产能。

移动设备存储需求的增长和固态硬盘在PC、数据中心的使用已促使SK海力士对手三星电子、东芝提高在芯片生产上的投资。“为了实现进一步增长，提前确保芯片产能很重要，这样才能应对3D NAND技术引领的NAND闪存市场增长，”SK海力士在一份声明中称。


市场研究公司IHS预计，明年NAND闪存芯片行业收入将同比增长5.9%至357亿美元，高于今年的5.7%增速。

SK海力士股价今年已经累计上涨了大约49%，有望创下自2009年以来的最大涨幅。在周四早盘交易中，SK海力士股价上涨2%，超过了大盘指数涨幅。