1nm工艺不仅仅是这个数字看上重要，它还有更深的含义——1nm级别的工艺有可能是硅基半导体的终结，再往下走就需要换材料了，比如纳米片、碳纳米管等等，2017年IBM领衔的科研团队就成功使用碳纳米管制造出了1nm晶体管。
硅基半导体工艺的极限其实一直在突破，之前的说法中，10nm、7nm、5nm、3nm甚至2nm都被当做过硅基工艺的极限，现在来看还是一步步被突破了，如果不考虑台积电、三星在工艺命名上的营销套路的话。
在2019年的Hotchips会议上，台积电研发负责人、技术研究副总经理黄汉森（Philip Wong）在演讲中就谈到过半导体工艺极限的问题，他认为到了2050年，晶体管来到氢原子尺度，即0.1nm。
关于未来的技术路线，黄汉森认为像碳纳米管（1.2nm尺度）、二维层状材料等可以将晶体管变得更快、更迷你；同时，相变内存（PRAM）、旋转力矩转移随机存取内存（STT-RAM）等会直接和处理器封装在一起，缩小体积，加快数据传递速度；此外还有3D堆叠封装技术。